檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "陳瑞山".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="硒化銦"
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本論文以化學氣相傳導法並利用三氯化碘為傳導劑成長InSe和In6Se7硒化銦系列半導體,對此系列晶體進行晶體結構分析,並藉由光學及電學量測對其特性加以研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method,CVT)成長硒化銦系列晶體,目前成功成長出α-In2Se3層狀單晶, 之後進行晶體結構與光學特性分析。…
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本論文探討以化學氣相傳導法成長之二硫化鉬(MoS2)及硒化銦(InSe)層狀半導體之高頻時間解析光電導特性。實驗發現二硫化鉬及硒化銦皆存在包含快速及慢速的兩段式光電流響應。為了取得那段快速光電流響應…
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本研究利用化學氣相傳導法成長硒化銦塊材,再以機械剝離法取得硒化銦薄片,先利用電荷中性點確認本質硒化銦為n型,再以掃描式電子顯微鏡觀察樣品表面樣貌,接著用氧電漿進行氧化處理以改變其半導體特性,分別用X…